4F²对决6F²：长鑫DDR5年底送样，美光质疑能否成立？
一颗DRAM存储单元的面积系数，从6降到4，意味着什么？
在相同芯片面积下，存储单元数量可提升至原来的1.5倍，理论位密度提升50%——而且不依赖EUV光刻。
近日，国产存储龙头长鑫存储（CXMT）在第三季度业绩说明会上正式回应美光质疑，证实其第六代DRAM技术平台基于4F²架构开发，已通过工程样品验证，首款DDR5 RDIMM产品预计2026年底前向客户送样。
这场围绕4F²与6F²的路线之争，由此从技术研讨走向公开交锋。
长鑫正式回应：4F²工程样片已验证，年底送样DDR5 RDIMM
针对美光高层此前公开质疑4F² DRAM架构的言论，国产存储龙头长鑫存储在10月31日第三季度业绩说明会上给出正式回应。
长鑫科技证实，下一代即第六代DRAM技术平台基于4F²架构开发，目前已顺利通过工程样品验证，首款产品预计2026年底前向客户送样。在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。预计今年年底，公司将把采用4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品送样。
应用方向上，长鑫表示会优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品，后续逐步向其他品类延伸；规模量产将根据客户验证进度、市场需求情况稳步推进。
不过，长鑫科技高管也坦言，前瞻技术及新产品更多是构筑中长期竞争力，不会在短期全部转化为当期利润。
今年10月，长鑫科技已官宣其4F² DRAM架构研发取得关键进展，预计年底推出融合4F²架构及混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。4F²从单元结构入手，为国产DRAM微缩打开新的工艺路径。技术细节方面，长鑫存储的4F²架构采用垂直环绕栅极（Vertical Surrounded Gate, VSG）晶体管技术，目前已拥有超过300个公开专利家族。
争端起源：美光称4F²是“烟雾弹”，坚持6F²直转3D DRAM
此番争端，源于美光对4F²架构技术路线的公开质疑。
10月21日，在美光举行的技术路线图网络研讨会上，美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德博尔（Scott DeBoer）公开表示，美光将坚持6F²技术路线并直接转向3D DRAM开发。美光已对4F²架构研究超过20年，认定其缺乏可行的微缩路径，甚至直言4F²的部分讨论仅是“烟雾弹”。
美光认为，决定DRAM密度理论极限的关键在于电容间距与尺寸，而非晶体管的布局方式，并称4F²更加“复杂且昂贵”，存在基本的物理限制。之后在接受日经亚洲采访时，德博尔再次重申美光研究4F²技术已超过20年，但目前并未将其列入“技术路线图”，公司计划继续推进6F²内存和下一代3D DRAM技术。
“认为4F²实际上比6F²提供任何优势是一种误解。”德博尔说。他表示：“对于美光而言，无论使用4F²还是6F²架构，一样都需要EUV光刻技术。”
长鑫的回应逻辑：物理规律复杂，路线选择值得尊重
面对美光的质疑，长鑫科技从技术规律和产业现实两个层面作出回应。
“从物理规律看，DRAM位密度提升确实是一个复杂的系统工程，涉及字线、位线以及电容结构的多重空间博弈。”长鑫科技表示，相关说法反映了行业在先进制程微缩阶段所面临的普遍物理挑战。在特定技术节点下，不同架构在工艺集成复杂度、光刻次数以及热预算等方面呈现出不同的成本效益曲线。
长鑫进一步指出，不同存储厂商基于自身历史技术积累、现有产线配置、专利布局及资本开支结构，往往会做出差异化的战略选择，值得理解和尊重。
就4F²等新技术带来的效益，长鑫科技表示，前瞻技术及新产品不会在短期全部转化为当期利润，更多是构筑中长期竞争力。4F²架构通过更紧凑的布局缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度；采用4F²架构的首代产品今年年底送样后，规模量产将根据客户验证进度、市场需求情况推进。
行业站位：三星、SK海力士均在推进4F²，美光是少数派
事实上，美光跳过4F²直奔3D DRAM的路线只是行业少数派，全球存储巨头三星与SK海力士均在持续推进4F²技术研发，侧面印证了该路线的技术可行性。
三星在ISSCC 2026上展示了结合垂直通道晶体管与晶圆级混合铜键合技术的16Gb 4F² DRAM原型，规划在10a、10b、10c三个节点采用4F²架构，到10d节点再转向3D DRAM。三星半导体CTO宋载赫已证实相关研发稳步推进。10a是其首个线宽低于10nm的节点，实际线宽约9.5–9.7nm，三星已于2026年4月产出工程裸晶，计划2026年内完成开发、2027年做质量测试、2028年量产。三星DRAM 10nm级按1x→1y→1z→1a→1b→1c→1d→10a迭代，10a即接在1d后面。从这个时间线来讲，长鑫的4F²架构要领先三星两代。
SK海力士则选择垂直栅极（VG, Vertical Gate）技术路线，去掉了单元里独立的存储电容，转而利用晶体管本身的浮体效应（或新型存储介质特性）来保存数据，靠器件自身的物理特性实现信息存储。公司已于2026年7月完成测试阵列的读写验证，并计划在12月的IEDM国际电子器件会议上发表无电容4F²技术论文。
技术科普：关于4F²与6F²到底差别在哪？
在DRAM芯片中，F（Feature Size，特征尺寸）代表当前制程光刻能实现的最小线宽，是衡量制程工艺精度的基本单位。
nF²是DRAM单个存储单元的面积系数，每个1T1C（1个晶体管+1个电容）的存储单元，在芯片平面上占用的面积为n×F×F。
简单理解，就是以F为边长，单个存储单元占用几倍的面积：4F²就是4倍，6F²就是6倍，前者比后者小1/3。系数n越小，相同制程下单位芯片面积能容纳的存储单元越多，位密度越高，单GB成本越低。
6F²是全球存储行业沿用几十年的经典DRAM单元结构，也是目前量产最成熟、良率最稳定的方案，美光坚持的就是这条路线。
6F²采用平面型晶体管，晶体管和电容在晶圆平面上横向排布，字线、位线、电容沿平面方向依次布局，最终单个单元的等效面积为6倍的F²。
4F²则通过立体晶体管设计，把单个存储单元的面积系数从6压缩到4，是平面DRAM向密度极限推进的关键技术路线，长鑫、三星、SK海力士均在投入研发。
4F²不再使用平面晶体管，而是采用垂直环绕栅极（VSG）晶体管：把晶体管的沟道做成立体垂直结构，栅极环绕在沟道周围，让晶体管从平躺变成站立，大幅压缩平面占用面积，配合电容结构的优化，最终将单个单元的等效面积压缩到4倍F²。
相同面积下，4F²能放下的存储单元数量是6F²的1.5倍，理论密度提升50%，而且是在不依赖EUV光刻的前提下，用DUV工艺就能实现的密度跃升。
从技术形态来说，4F²可以看作是平面DRAM的进一步微缩优化，但依然是在单层晶圆上做单元布局压缩。
4F²之后就是真正的3D DRAM——像3D NAND一样垂直堆叠多层存储单元，靠层数实现密度跃升，这也是DRAM行业的下一代终极演进方向。
4F²和6F²之争，本质不是简单的谁对谁错，而是两种产业发展思路：
美光相信平面架构潜力已经见底，不愿意投入资源打磨4F²复杂集成工艺，选择集中资源all in远期3D DRAM；
长鑫、三星、SK 海力士，则选择抓住4F²这个过渡台阶，在平面DRAM生命周期内继续榨取密度红利，延缓转向 3D DRAM 的巨额资本投入。
对国内存储产业链而言，长鑫4F² VSG架构顺利送样，意味着国产DRAM拿到一条不绑定EUV的微缩升级路线，为服务器DDR5等高价值赛道持续突破打下基础。最终哪条路线胜出，还要看后续良率、成本、客户验证以及量产落地数据。
