意法半导体GANSPIN新增100V系列！高集成驱动，适配人形机器人关节控制

近日，意法半导体宣布，其GANSPIN产品家族新增100 V系列，提供易于使用的氮化镓（GaN）功率级，助力打造紧凑、高效的电机驱动系统。

此次新增的三款器件分别为GANSPIN1102、GANSPIN1102E和GANSPIN1105，尺寸均为5 mm×6.5 mm，面向高功率密度电机控制应用。

在三款新品中，GANSPIN1102的典型导通电阻RDS(on)为2.4 mΩ；GANSPIN1102E新增专用顶部散热选项，使设计人员在散热要求严苛的高功率密度设计中，能够更灵活地直接从封装顶部导出热量；GANSPIN1105的典型导通电阻RDS(on)为5.5 mΩ。全新GANSPIN1100驱动器的连续输出电流能力最高可达60 A（具体取决于器件型号），在实现高功率密度的同时，节省电路板空间并降低物料清单（BoM）成本。

在机器人应用中，包括人形机器人关节驱动，GANSPIN1100系列可支持轻量化、节省空间的设计，并提供响应迅速、精准的运动控制。器件的引脚布局可轻松实现双层PCB的紧凑布局，简化电路板设计，并有助于降低整体BoM成本。除机器人外，该系列器件还可用于工业伺服驱动器、执行器、电动自行车、无人机和电动工具等应用，其高效率有助于延长电池续航时间。

高集成度是GANSPIN1100系列的重要特点。每款器件均集成两个GaN晶体管、具有优化栅极电阻的栅极驱动器，以及VCC电容和自举电容。新器件为高侧和低侧晶体管的开通与关断分别提供独立的栅极驱动输出，使设计人员能够精细调整开关时序，优化效率和电磁干扰（EMI）表现。短至20 ns的传播延迟和精确至1 ns的延迟匹配，支持高达5 MHz的开关频率，满足高性能电机控制需求。

在可靠性方面，器件具备智能直通保护功能，通过监测栅极驱动输出电压，实现接近零的死区时间，在防止上下管同时导通的同时，尽可能降低GaN器件的第三象限损耗。器件还具备输入互锁功能，以及动态自举开关，可在各种条件下保持高侧栅极驱动电压稳定，防止电容过充。VCC电源和自举电源均配备欠压锁定（UVLO）和过压锁定（OVLO）功能，再加上过温关断功能，共同构成完整的保护机制，有助于提升工业伺服驱动器和执行器等设备的长期可靠性。

封装方面，GANSPIN1102、GANSPIN1102E和GANSPIN1105采用厚度为1.12 mm的栅格阵列（LGA）封装，工作结温范围为−40 ℃至125 ℃。预计这些器件将于2026年底前上市。

在2026年11月10日至13日于慕尼黑举办的electronica 2026展会上，意法半导体将在展台展示GANSPIN1102E驱动机械臂关节的演示。